Katalogowe Parametry Przykładowych Elementów Energoelektronicznych.pdf

Wydział Elektrotechniki

Informatyki i Telekomunikacji

KATALOGOWE PARAMETRY

PRZYKŁADOWYCH ELEMENTÓW

ENERGOELEKTRONICZNYCH

Zielona Góra 2005

SPIS TRE Ś CI

1. ELEMENTY BIERNE………………………………………………………………….3

1.1. Rezystory…………………………………………………………………………3

1.1.1. Parametry rezystorów………………………………………………………3

1.1.2. Oznaczenia rezystorów……………………………………………………..4

1.2. Kondensatory…………………………………………………………………….7

1.2.1 Parametry kondensatorów…………………………………………………..7

1.3. Cewki indukcyjne………………………………………………………………12

1.3.1 Parametry cewek…………………………………………………………..13

2.BIERNE BEZZŁ Ą CZOWE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE……………15

2.1. Termistory NTC i PTC………………………………………………………….15

2.1.1. Podstawowe parametry termistora NTC i PTC...........................................16

2.3. Warystory……………………………………………………………………….17

2.3.1. Parametry warystorów…………………………………………………….17

3. ELEMENTY JEDNOZŁ Ą CZOWE………………………………………………….19

3.1.Ogólna charakterystyka diód…………………………………………………….19

3.2. Diody prostownicze bipolarne…………………………………………………..20

3.2.1. Parametry diody prostowniczej…………………………………………...21

3.3. Diody unipolarne Schottyky’ego……………………………………………….23

3.4. Diody stabilizacyjne (Zenera)…………………………………………………..26

3.4.1. Parametry diody stabilizacyjnej…………………………………………..26

4. CZYNNE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE WIELOZŁ Ą CZOWE……...28

4.1. Tranzystor bipolarny mocy……………………………………………………..28

4.1.1. Parametry tranzystorów…………………………………………………...29

4.1.2. Zastosowanie tranzystorów…………………………………………….....30

4.2. Tranzystor unipolarny FET……………………………………………………..30

4.2.1. Tranzystory polowe zł ą czowe FET……………………………………….31

4.2.2. Zasada działania tranzystora polowego FET……………………………...32

4.2.3. Parametry i charakterystyki tranzystora polowego JFET……………........33

4.3. Tranzystor unipolarny MOSFET……………………………………………….35

4.3.1. Zasada działania tranzystora MIS (MOS)………………………………...35

4.3.2.Charakterystyki tranzystorów MOSFET ………………………………....38

4.4. Tranzystor bipolarny z izolowan ą bramk ą IGBT (BIMOS)……………………39

5. ELEMENTY PRZEŁ Ą CZNIKOWE……………………………………………..….40

5.1. Diaki…………………………………………………………………………….40

5.1.1. Parametry diaków…………………………………………………………...40

5.2. Triaki………………………………………………………………………………….41

5.2.1 Parametry triaków…………………………………………………………...42

5.3. Tyrystory………………………………………………………………………..43

5.3.1. Parametry i charakterystyki tyrystorów…………………………………….43

5.3.2. Zalety i wady tyrystorów…………………………………………………...47

5.4. Fototyrystor……………………………………………………………………..47

6. LITERATURA………………………………………………………………………...49

- 2 -

1.ELEMENTY BIERNE.

1.1. REZYSTORY

Rezystor to najpopularniejszy element elektroniczny, zwykle zbudowany w postaci

wałeczka z dwoma wyprowadzeniami. Słu ż y on najcz ęś ciej do ograniczania pr ą du lub

uzyskania wymaganych napi ęć . Najwa ż niejszym parametrem rezystora jest rezystancja

oznaczana liter ą R. Jest to w uproszczeniu zdolno ść do przeciwstawienia si ę przepływowi

pr ą du.

1.1.1. Parametry rezystorów

Rezystancja nominalna- rezystancja, jak ą powinien mie ć rezystor.

Tolerancja - (klasa dokładno ś ci) - poniewa ż ze wzgl ę du na rozrzuty produkcyjne rezystory

nie maj ą rezystancji dokładnie zgodnej z rezystancj ą znamionow ą , podaje si ę maksymalne

dopuszczalne odchyłki. Wyra ż a si ę to w procentach warto ś ci znamionowej.

Moc znamionowa- najwi ę ksza dopuszczalna moc wydzielana na rezystorze przy pracy

ci ą głej w temperaturze otoczenia mniejszej ni ż 70 º C (dla niektórych typów 40 º C).

Napi ę cie graniczne - maksymalne napi ę cie stałe lub amplituda napi ę cia zmiennego, jakie

mo ż e by ć doł ą czone do rezystora w sposób ci ą gły.

Rezystancja krytyczna - rezystancja, przy której dla napi ę cia granicznego otrzymuje si ę

moc znamionow ą . Rezystory o rezystancji znamionowej wi ę kszej ni ż krytyczna wolno

obci ąż a ć moc ą tym mniejsz ą , im wi ę ksza jest ich rezystancja znamionowa.

Napi ę cie szumów- w czasie pracy wyst ę puj ą w nim szybkie, przypadkowe zmiany

rezystancji, które powoduj ą powstawanie na jego ko ń cówkach napi ę cia szumów,

proporcjonalne do napi ę cia doprowadzonego do rezystora. Napi ę cie szumów wywołane

jednym Voltem napi ę cia doprowadzonego jest parametrem rezystora charakteryzuj ą cym

jego wła ś ciwo ś ci szumowe.

Temperaturowy współczynnik rezystancji - oznaczony w krajowych ź ródłach TWR, lub

z angielskiego TCR, okre ś la zmiany rezystancji pod wpływem temperatury. Czym

mniejsza warto ść TCR, tym bardziej stabilny rezystor. Warto ść TCR podaje si ę w %/K lub

ppm/K (gdzie 1%=104 ppm).

- 3 -

Niestabilno ść parametrów rezystora w zale ż no ś ci od warunków otoczenia. Jednym z

głównych czynników warunkuj ą cych zachowanie parametrów rezystora jest temperatura.

Oprócz rezystancji zmieniaj ą si ę tak ż e inne parametry. Dopuszczalne obci ąż enie

rezystorów jest stałe do pewnej granicy temperatury (zazwyczaj ok. 60˚C), po której

przekroczeniu nast ę puje jego spadek z 100 do 0% na długo ś ci ok. 40˚C. Na parametry

maj ą wpływ tak ż e inne czynniki zewn ę trzne zawarte parametrów tabeli 1.1 .

Tabela 1.1. Zmiany rezystancji rezystora w ę glowego w zale ż no ś ci od czynników zewn ę trznych

Czynnik

Zmiana rezystancji

Na stałe

R = 1k

R = 10 M.

Lutowanie (350˚C w odległo ś ci 3 mm

± 2%

tak

Cykliczne obci ąż anie (500-krotne wł ą czanie i

± 4 – 6%

tak

wył ą czanie napi ę cia w ci ą gu 1000 godzin)

Wibracje (20 g) i wstrz ą sy (100 g)

± 2%

tak

Wilgotno ść (wilgotno ść wzgl ę dna 95% w

+ 6%

+ 10%

nie

temp. 40˚C)

Współczynnik napi ę ciowy (zmiana o 10 V)

-0,15%

-0,3%

nie

Temperatura (25˚C do -15˚C)

+2,5%

+4,5%

nie

Temperatura (25˚C do 85˚C)

+3,3%

+5,9%

nie

1.1.2. Oznaczenie rezystorów.

W oznaczeniach rezystorów stosuje si ę trzy kody:cyfrowy, cyfrowo- literowy i barwny

paskowy.

Kod cyfrowy polega na zapisywaniu warto ś ci rezystancji, tolerancji, temperaturowym

współczynniku rezystancji itp. za pomoc ą cyfr, np.: 210 W, 1 kW = 1000 W, 1,2

MW 20%, 470 k 0,5% 10%/K itp. ( W praktyce cz ę sto pomija si ę symbol W przy zapisie

warto ś ci wi ę kszych od1000 , a wi ę c 1k mo ż e by ć zapisany jako 1k).

Kod cyfrowo- literowy natomiast polega na zast ą pieniu niektórych warto ś ci literami

(tabela 1.2.a, b, c). W przypadku kodu MIL mno ż nikiem warto ś ci rezystancji jest ostatnia

cyfra.

- 4 -

Tabela 1.2. Kody cyfrowo literowe

a) warto ś ci rezystancji

Warto ść rezystancji

Według IEC Według MIL

0,22

R22

3,9

3R9

75R

750

910

910R, K91

911

1,8 k

1K8

182

62 k

62K

623

470 k

470K, M47

474

5,6 M

5M6

565

36 M

36M

366

1,54 k

1K54

1541

43,2 k

43K2

4322

931 k

931K

9313

1,24 M

1M24

1244

b) tolerancji

Kod

Tolerancja

30%

20%

10%

0,5%

0,25%

0,1%

0,05%

0,002%

0,001%

0,0005%

- 5 -

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

Inne foldery tego chomika: