nanomaterialy09.pdf

(959 KB) Pobierz
WSTÊP DO NAUKI O MATERIA£ACH
Wykład IX, 15.05.2006
Przykłady podstawowych urządzeń optoelektroniki
otrzymywanych a technologii warstwowej: złącze p-n, dioda
prostownicza i dioda emitująca światło,
laser półprzewodnikowy,
lasery na kropkach kwantowych,
tranzystor polowy.
309178595.008.png
Złącze pn jako prostownik
Polaryzacja w kierunku
zaporowym
Polaryzacja w kierunku
przewodzenia
Różnica potencjału
Polaryzacja w kierunku
zaporowym
Polaryzacja w kierunku
przewodzenia
309178595.009.png 309178595.010.png 309178595.011.png 309178595.001.png 309178595.002.png 309178595.003.png
Konwencjonalny tranzystor
Emiter Baza Kolektor
Emiter Baza Kolektor
Pasmo przewodnictwa
Pasmo walencyjne
309178595.004.png
Pierwszy tranzystor
Zbudowany w Laboratoriach Bell’a (USA)
Przez J. Bardeen’a i W. Bratteina w 1948 r.
Był to kawałek (o wym. kilku mm) Ge do-
Mieszkowany, typu n, dotykający metalowej
płytki, która służyła jako bramka. Dwa
kontakty umocowane na sprężynujących
drutach służyły jako emiter i kolektor. Po
spolaryzowaniu bramki w górnej części
płytki Ge wytwarzał się obszar inwersji i
obserwowano prąd nośników typu
dziurowego.
309178595.005.png
Tranzystor polowy (FET i MOSFET)
309178595.006.png 309178595.007.png

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

Inne foldery tego chomika:

Zgłoś jeśli naruszono regulamin