zabezpieczenia ogniwa Li-lon.pdf

(51 KB) Pobierz

Układ zabezpieczający ogniwo Li-Ion

M I N I P R O J E K T Y

Układ zabezpieczający ogniwo Li−Ion

Roz³adowanie

akumulatorka litowo-

jonowego, poniøej

zalecanego minimalnego

napiÍcia, w†znacznym

stopniu obniøa jego

øywotnoúÊ. Opisany

uk³ad zabezpiecza przed

tym akumulator,

od³¹czaj¹c od niego

obci¹øenie, gdy napiÍcie

obniøy siÍ do zadanego

progu.

Schemat elektryczny uk³a-

du zabezpieczaj¹cego przed-

stawiono na rys. 1 . Dobieraj¹c

odpowiednio stosunek R1 do

R2 moøna ustaliÊ napiÍcie

w†punkcie A†na np. 3V. Gdy

napiÍcie baterii obniøy siÍ po-

niøej minimalnego, napiÍcie

w†punkcie A†stanie siÍ mniej-

sze od napiÍcia w†punkcie B.

NapiÍcie to wynosi:

V B =1,25V+I*R4=1,37V,

gdzie:

I=(V min -1,25V)/(R3+R4)=

800nA, (V min = napiÍcie mini-

malne).

Wtedy na wyjúciu wzmac-

niacza operacyjnego LT1495

wyst¹pi napiÍcie wysokie,

w³¹czaj¹c tranzystor T1 (p-

kana³owy MOSFET) i†od³¹-

czaj¹c w†ten sposÛb obci¹øe-

nie od baterii.

NapiÍcie baterii po od³¹-

czeniu obci¹øenia wzrasta

nieco, przez dodanie rezys-

tora R5 wprowadzono wiÍc

pewn¹ histerezÍ uk³adu, za-

pobiegaj¹c oscylacjom wokÛ³

punktu prze³¹czania. Przy

zastosowanej rezystancji R5

histereza wynosi 92mV. Po-

³¹czenie moøe zostaÊ przy-

wrÛcone, gdy napiÍcie bate-

rii przekroczy 3,092V. NapiÍ-

cie histerezy zwiÍksza siÍ ze

wzrostem rezystancji R5,

a†zmniejsza siÍ z†jej zmniej-

szeniem. Wymagana wiel-

koúÊ tego napiÍcia zaleøy od

impedancji wewnÍtrznej ba-

terii i†od natÍøenia pr¹du ob-

ci¹øenia.

Ustalone przez dzielnik

R1, R2 napiÍcie prze³¹czania

jest w†opisanym uk³adzie

krytyczne. Jeúli jest ono zbyt

wysokie, uøyteczna pojem-

noúÊ baterii nie bÍdzie w†pe³-

ni wykorzystywana. Jeøeli na-

tomiast jest ono za niskie, ba-

teria bÍdzie zbytnio roz³ado-

wywana z†wszystkimi tego

groünymi konsekwencjami.

Przy wartoúciach pokazanych

na schemacie, z†uwzglÍdnie-

niem tolerancji elementÛw,

napiÍcie prze³¹czania mieúci

siÍ miÍdzy 2,988V a†3,012V.

Bardziej praktycznym rozwi¹-

zaniem bÍdzie niewielkie

zmniejszenie wartoúci rezys-

tancji R1 i†R2 i†wstawienie

szeregowo miÍdzy te rezysto-

ry wieloobrotowego potencjo-

metru. Regulacja napiÍcia

prze³¹czania bÍdzie wtedy

dok³adniejsza, a†jako R1 i†R2

mog¹ zostaÊ uøyte zwyk³e re-

zystory 1%. Przed rozpoczÍ-

ciem uøytkowania uk³adu za-

lecane jest dok³adne spraw-

dzenie jego dzia³ania za po-

moc¹ regulowanego zasilacza.

EE

KonstrukcjÍ urz¹dzenia

oparto na aplikacji firmy Li-

near Technology.

WYKAZ PODZESPOŁÓW

Rezystory

R1: 3,57M

/1%

/1%

R3: 2,05M

/1%

R4: 150k

/1%

R5: 10M

/1%

Ω

Półprzewodniki

IC1: LT1495

T1: IRF7207

D1: LT1389

Artyku³ publikujemy na

podstawie umowy z wydawc¹

miesiÍcznika "Elektor Elec-

tronics".

Rys. 1.

Elektronika Praktyczna 8/2001

23

R2: 3M

R sw : 1M

32198452.001.png

32198452.002.png

32198452.003.png

32198452.004.png

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

zimowy włącznik świateł samochodowych.pdf (207 KB)
zestawy głośnikowe Hi-Fi.pdf (372 KB)
zestaw uruchomieniowy dla procesorów AVR i '51 2.pdf (474 KB)
zestaw uruchomieniowy dla procesorów AVR i '51 1.pdf (609 KB)
zestaw uruchomieniowy dla procesorów AVR 89CX051.pdf (472 KB)

Inne foldery tego chomika:

Zgłoś jeśli naruszono regulamin