2010.09_TRX SDR na fale krótkie.pdf

Projekty AVT

2954

część 2

TRX SDR na fale krótkie

W tej części artykułu o TRX-ie SDR opisane

zostały dodatkowe bloki tego urządzenia:

przetwornica –9V, układ stabilizacji tempe-

ratury generatora SI570 oraz liniowy wzmac-

niacz mocy. Mogą one być wykorzystane

również w innych urządzeniach, np. układ

stabilizacji temperatury i przetwornica –9V

mogą znaleźć zastosowanie w opisywanym w

EdW 8/2009 odbiorniku HPSDR (AVT-2909),

a wzmacniacz mocy w dowolnym urządzeniu

nadawczym na fale krótkie.

jako elementu grzejnego. Przyjęte rozwiązanie

ma jedną dużą zaletę, nie wymaga stosowa-

nia podkładki izolacyjnej, dren tranzystora

IRF9Z34 podłączony jest bezpośrednio do

metalowej części obudowy TO-220, dzięki

czemu może być ona bezpośrednio połączona

z masą układu. Funkcję czujnika temperatury

pełni czujnik krzemowy typu KT81-210. W

porównaniu z klasycznymi termistorami NTC

czujniki krzemowe posiadają lepszą stabil-

ność w funkcji czasu. Napięcie zasilające

czujnik i wytwarzające napięcie odniesienia

(regulujące temperaturę) wytwarzane jest za

pomocą stabilizatora 78L09. Porównywanie

temperatury mierzonej z zadaną odbywa się

w podwójnym wzmacniaczu operacyjnym

typu TLC272. W układzie wykorzystano tylko

jedną połówkę tego układu, druga jest niewy-

korzystana. Wzmocnienie układu ograniczone

jest przez opornik R10, a szybkość reakcji

na zmiany temperatury przez kondensator

C4. W układzie tym nie należy spodziewać

się szybkich zmian temperatury. Pożądaną

wartość temperatury ustawia się za pomocą

potencjometru wieloobrotowego R13. Sygnał

błędu ze wzmacniacza operacyjnego steruje

bramką tranzystora MOSFET przez rezystor

R2. Wartość prądu płynącego przez tranzystor

ogranicza obwód z rezystorami R3-R8 i tran-

zystorem Q1 typu pnp – MMBT3906. Zamiast

tranzystora MMBT3906 można wykorzystać

dowolny tranzystor małej częstotliwości typu

pnp. Wartość prądu płynącego przez tran-

zystor można obliczyć ze wzoru I = 0,6/R,

gdzie R jest wartością wypadkową sześciu

równolegle połączonych rezystorów R3-R8.

W przypadku, gdy wartość spadku napięcia

na rezystorach przekroczy wartość 0,6V (spa-

dek napięcia na złączu baza-emiter), tranzy-

stor MOSFET przestaje być wysterowywany

(napięcie bramki zwierane jest przez tranzy-

stor MMBT3906 do +12V), a tranzystor IRF

przestaje podgrzewać układ SI570. W ukła-

dzie ograniczającym prąd użyto oporników

SMD w rozmiarze 1206. Wartość prądu pod-

grzewającego powinna mieścić się w zakresie

od 250–1000mA i zależy od zastosowanej

izolacji termicznej. Większej wartości prądu

podgrzewającego wymagają układy gorzej

izolowane termicznie. Proces grzania syg-

nalizowany jest przez świecenie diody LED.

Informacja o stopniu wysterowania tranzysto-

ra grzejącego (świecenie diody LED) zmienia

się w sposób płynny. Po jaskrawości świece-

nia diody LED jesteśmy w stanie zorientować

się co do odchyłki pomiędzy temperaturą

ustawioną a temperaturą czujnika.

Układ najlepiej zmontować w formie kanapki

na kształtowniku aluminiowym w kształcie

litery T lub L. Z jednej strony kształtownika

przymocowujemy płytkę generatora SI570, z

drugiej strony płytkę termostatu. Obie płytki

skręcone są ze sobą za pomocą śrub typu

M3. W celu jak najlepszego przekazywania

ciepła z tranzystora do płaskownika obudowę

tranzystora IRF należy posmarować smarem

termoprzewodzącym. Otwór pod tranzystor

mocy uzyskujemy po wyłamaniu wstępnie

zaznaczonego otworami obszaru na płytce

drukowanej, a otrzymany otwór wygładza-

my za pomocą pilnika. Cały układ należy

Termostat

Układ ten służy do stabilizacji temperatu-

ry kostki SI570. Schemat modułu pokazany

jest na rysunku 1 . Układ SI570 wykazu-

je dość silną zależność między temperatu-

rą otoczenia, a generowaną częstotliwością.

Zmiany częstotliwości (temperatury) układu

SI570 są najsilniejsze w pierwszych minutach

od włączenia układu. Zastosowanie układu

termostatu pozwala uzyskać po osiągnięciu

zadanej temperatury (parę minut) dużą sta-

bilność częstotliwości generatora, niezależ-

nie od temperatury otoczenia. Opisany układ

bazuje na podobnych opisach dostępnych w

Internecie. Cechą, która go wyróżnia, jest

użycie tranzystora MOSFET z kanałem P

Rys. 1 Schemat ideowy termostatu

+12V

OUT

GND

Q 2

3,6

U1P

10u

100n

10u

100n

78L09

3,6

+ U1B

R12

2,4k

LED R

U1A

TLC272CP

R11

2,2k

R13

TLC272CP

680

IRF9Z34

C 4

100n

R 10

100k

Elektronika dla Wszystkich Wrzesieñ 2010

Wrzesieñ 2010

Projekty AVT

Fot. 1

+5V na –12V. Napięcie –12V obniżane

jest do -9V za pomocą stabilizatora napię-

cia ujemnego typu 7909. Stabilizator ten

pełni funkcję aktywnego filtru redukującego

poziom tętnień (zakłóceń) na wyjściu prze-

twornicy. Należy zwrócić uwagę na fakt, że

stabilizatory napięcia ujemnego niektórych

producentów wymagają pojemności na wej-

ściu i wyjściu stabilizatora ponad 100μF,

gdyż w przeciwnym wypadku wzbudzają

się. W układzie zastosowano kilka filtrów

dolnoprzepustowych, zbudowanych na

rdzeniach ferrytowych typu F 1001, połą-

czonych z kondensatorami.

W celu zapewnienia dobrego

odsprzężenia układu w szero-

kim zakresie częstotliwości,

w układzie wykorzystano sze-

reg kondensatorów, różnią-

cych się wartościami pojem-

ności. Pewnego wyjaśnienia

wymaga dławik L3, ponieważ

właśnie ten element przyspo-

rzył najwięcej problemów pod-

czas pierwszego uruchomienia

układu. Pierwotnie jego funkcję

pełnił dławik o takiej wartości

(330uH), nawinięty na rdzeniu

toroidalnym F1001 (jego war-

tość sprawdzono za pomocą

miernika indukcyjności), układ jednak źle sta-

bilizował napięcie wyjściowe i bardzo silnie

reagował nawet na niewielkie zmiany obcią-

żenia, zmieniając napięcie na swoim wyjściu.

Problem całkowicie rozwiązało zastosowanie

jako tej indukcyjności fabrycznego dławika z

otwartym strumieniem. Winę za złe działanie

układu w przypadku zastosowania rdzenia

toroidalnego ponosiło najprawdopodobniej

zjawisko nasycania się rdzenia. Rdzenie toro-

idalne nasycają się znacznie szybciej niż

układy z otwartym strumieniem magnetycz-

nym. Zaletą rdzeni toroidalnych jest mały

poziom zakłóceń generowanych przez pole

rozproszone. Jako L3 można użyć oczywiście

dławika innego niż podany w spisie ele-

mentów, ale uwzględniając podane wcześniej

zastrzeżenia. Zastosowany dławik powinien

dodatkowo mieć możliwie małą wartość rezy-

stancji szeregowej. Masa tego układu powin-

na być połączona tylko w jednym punkcie

oznaczonym literą x na płytce drukowanej

z resztą mas (np. przez metalową tulejkę

dystansową), reszta tulejek powinna być

plastikowa. Układ dobrze jest zaekranować

cienką blachą stalową. Poziom zakłóceń

generowanych przez ten układ jest na

Rys. 2 Schemat montażowy termostatu

Fot. 2

Rys. 4 Schemat montażowy

przetwornicy –9V

tyle mały, że nadaje

się do zastosowa-

nia w urządzeniach

radiowych i innych

układów wymagają-

cych użycia ujemne-

go napięcia zasilania

o niskim poziomie

zakłóceń. Wartość

napięcia wyjściowe-

go może być zmie-

niana za pomocą

elementów towarzy-

szących układowi

MC34063 i wymiany

stabilizatora szere-

gowego. Odpowiedni kalkulator wyliczający

żądane wartości elementów układu MC34063

w zależności od żądanego napięcia wyjścio-

wego, prądu i częstotliwości pracy przetwor-

nicy można znaleźć pod adresem http://www.

nomad.ee/micros/mc34063a/index.shtml .

Zmontowany układ pokazano na fotografii 2 ,

schemat montażowy na rysunku 4 .

Wzmacniacz mocy w.cz.

Opisany wzmacniacz mocy jest konstrukcją

szerokopasmową i pracuje w całym zakresie

fal krótkich. W układzie tym użyto szeregu

ciekawych rozwiązań. Mimo, że układ prze-

znaczony został do urządzeń SDR, praktycz-

nie bez żadnych modyfikacji może znaleźć

zastosowanie w każdym urządzeniu nadaw-

czym na fale krótkie. Impedancja wejścia i

wyjścia układu zbliżona jest do 50Ω. Niektóre

elementy nie muszą być montowane, o tym

jednak później. Schemat ideowy widzimy jest

na rysunku 5 . Szerokopasmowość układu

uzyskano dzięki zastosowaniu transforma-

torów sprzęgających poszczególne stopnie-

nie wzmocnienia ze sobą. Pierwsze dwa

transformatory obniżają impedancję, ostatni

pracuje jako transformator podwyższający

impedancję. To, czy dany transformator

obniża, czy podwyższa impedancję, zależy

tylko od połączenia uzwojeń transformatora.

Stosowanie transformatorów obniżających

rezystancję ma na celu zapewnienie odpo-

wiednio dobrego wysterowania tranzysto-

rów polowych, szczególnie na wyższych

częstotliwościach. Zastosowane tranzystory

zaizolować termicznie za pomocą styropianu

(wystarczy grubość 1cm). Czujnik tempe-

ratury należy przykleić do obudowy układu

SI570, a połączenia pomiędzy czujnikiem a

płytką wykonać za pomocą dwóch skręconych

z sobą przewodów. Temperatura pracy termo-

statu powinna wynosić około 45°C. Opisany

układ może być użyty w odbiorniku HPSDR,

jak również w dowolnym innym układzie

stabilizacji temperatury np. generatora kwar-

cowego. Zmontowany układ widoczny jest na

fotografii 1 . Schemat montażowy pokazano

na rysunku 2 .

Przetwornica –9V

W celu optymalnej pracy wzmacniaczy ope-

racyjnych układu TRX i odbiornika HPSDR

wskazane jest ich zasilenie napięciem syme-

trycznym, co wymaga zastosowania trans-

formatora sieciowego z dwoma niezależny-

mi uzwojeniami. Mimo że zdobycie takiego

transformatora nie jest trudne, wiele osób

uznaje konieczność jego użycia za poważną

wadę. Pomijając możliwość wykorzystania

zwykłego transformatora i podwajacza jed-

nopołówkowego, problem można też rozwią-

zać za pomocą odpowiedniej przetwornicy.

Schemat proponowanej przetwornicy poka-

zany jest na rysunku 3 . Opisana w artykule

przetwornica zbudowana jest na dość starym,

ale powszechnie dostępnym i tanim układzie

scalonym MC34063. Całość pracuje w ukła-

dzie przetwornicy podwyższającej, zmienia-

jącej polaryzację napięcia i zamienia napięcie

Rys. 3 Schemat ideowy przetwornicy –9V

R 1 0,47

+5V

15zw. F1001 œrednica 8mm

R 2 0,47

DriverCollector

SwitchCollector

SwitchEmitter

TimingCapacitor

GND

IpkSense

VCC

ComparatorInvIn

D 1

10u

100n

470u

330uH

G N D

8,2k

MC34063

1,5n

1N5819

7909

15zw. F1001 œrednica 8mm

-9V

10u

470u

C12

C14

C13

C15

OUT

GND

C11

C10

Elektronika dla Wszystkich

470u

10u

100n

10u

470u

Projekty AVT

Rys. 5 Schemat ideowy wzmacniacza mocy

polowe mają dość duże pojemności wejścio-

we. Ostatni z transformatorów nawinięty jest

na dwóch sklejonych ze sobą rdzeniach ze

starych symetryzatorów telewizyjnych. Do

sklejenia rdzeni należy użyć kleju epoksydo-

wego (dwuskładnikowego), a rdzenie powin-

ny ściśle przylegać do siebie. Klej wykorzy-

stany do sklejenia rdzeni nie powinien być

koloru czarnego ani szarego, ze względu na

użycie jako barwnika sproszkowanego gra-

fitu. Przyjęte rozwiązanie pozwala przenieść

przez rdzeń większą moc, niż gdybyśmy użyli

pojedynczego rdzenia. Dwa pierwsze wzmac-

niacze pracują w klasie A, odpowiednio z

prądami spoczynkowymi 40mA BFG591 i

70mA (IRF510), tranzystor końcowy pracuje

w klasie AB z prądem spoczynkowym około

250mA (IRF530). Kondensator o wartości

100pF w źródle tranzystora IRF510 zwięk-

sza wzmocnienie wzmacniacza dla wyższych

częstotliwości (tranzystory mają mniejsze

wzmocnienie mocy dla większych częstotli-

wości). Dobrą liniowość wzmacniacza osiąg-

nięto dzięki stosowaniu ujemnych sprzężeń

zwrotnych zarówno w obwodzie emitera

(źródła), jak i pomiędzy kolektorem a bazą

(drenem a bramką). Większą moc wyjściową

ze wzmacniacza można uzyskać, zasilając

tranzystor IRF530 z napięcia wyższego niż

12V (do 24V), po rozłączeniu odpowiedniej

zwory na płytce i wymianie kondensatora

elektrolitycznego na inny, o wyższym napię-

ciu pracy. Rezystory o wartości paru omów w

bazie (bramkach) tranzystorów zapobiegają

wzbudzeniom pasożytniczym wzmacniacza.

Tranzystor BFG591 w celu poprawy chło-

dzenia wymaga przylutowania z obu stron

plastikowej obudowy kawałka foli miedzia-

nej, która styka się z powierzchnią plastikową

tranzystora. W przypadku tranzystora IRF510

wystarczy kawałek blachy aluminiowej o

powierzchni około 10–15 cm kwadratowych.

Tranzystor IRF530 wymaga dość dużego

radiatora, przy czym musi być on przykręco-

ny do niego za pomocą podkładki izolacyjnej

(minimum 100–150 cm 2 ). Do radiatora tranzy-

stora IRF530 powinny być też przymocowane

dwie diody D4, D5, które pod wpływem wzro-

stu temperatury obniżają napięcie polaryzują-

ce bramkę, a tym samym zmniejszają wartość

prądu spoczynkowego tranzystora wraz ze

wzrostem jego tempera-

tury. Wartość prądu spo-

czynkowego regulowana

jest za pomocą potencjo-

metru wieloobrotowe-

go. Przełączanie w stan

nadawania uzyskane jest

dzięki zastosowaniu prze-

łącznika HMC190MS8,

przekaźnika elektrome-

chanicznego, układu

CD4093, tranzystora z

kanałem P oraz tranzy-

stora MMBT3904. Na

Elektronika dla Wszystkich Wrzesieñ 2010

221

Wrzesieñ 2010

Projekty AVT

wejściu wzmacniacza

znajduje się układ prze-

łącznika elektroniczne-

go w.cz. firmy Hittite

typu HMC190MS8.

Zaletą zastosowane-

go układu jest bardzo

niska cena wynosząca

około 1,5zł za sztukę,

zdolność przenoszenia

dużych mocy nawet

do 1W (nigdy nie będą

występowały w tym

miejscu moce większe

niż 10mW) i doskonała

odporność intermodu-

lacyjna. Parametr IP3+

mówiący o odporno-

ści intermodulacyjnej

wynosi aż +50dBm.

Izolacja pomiędzy wro-

tami przełącznika do

30MHz wynosi ponad

35dB. Układy tego typu

produkuje wielu producentów. Pewną wadą

w tych układach jest konieczność usunię-

cia składowej stałej (zastosowanie konden-

satorów separujących na wszystkich wro-

tach przełącznika mimo podawania przez

producentów, że układy pracują od napięć

stałych) oraz konieczność sterowania prze-

łącznika dwoma sygnałami naraz. Układ ma

dwa wejścia sterujące oznaczone jako A i

B, stany na tych wejściach powinny być

zawsze przeciwne, tzn. jeśli na jednym z

wejść występuje stan niski, na drugim musi

być stan wysoki. Poziom stanu wysokiego

może wynosić maksymalnie 8V. Większym

wartościom napięć sterujących odpowiada

większa wartość odporności na modulację

skrośną. Odpowiednie napięcia sterujące

pracą przełącznika wytwarzane są przez dwa

inwertery Schmitta układu CD4093. Sygnał

z wyjścia nadajnika (duża moc) przełączany

jest już za pomocą zwykłego przekaźnika

elektromechanicznego. Przekaźnik półprze-

wodnikowy zastosowanego typu nie jest w

stanie przenieść mocy naszego wzmacniacza.

Na uwagę zasługuje w tym układzie fakt, że

dwa pierwsze stopnie i polaryzacja trzeciego

stopnia wzmacniacza załączane są tylko pod-

czas nadawania. Funkcję klucza załączające-

go napięcia zasilania tych tranzystorów pełni

tranzystor MOSFET z kanałem typu p. Dzięki

przyjętemu rozwiązaniu szumy wzmacniacza

mocy nie zakłócają pracy

odbiornika. Stanem

aktywującym nadawa-

nie jest stan wysoki na

złączu PTT wzmacnia-

cza mocy. Zastosowane

rozwiązanie umożliwia

sterowanie wzmacnia-

czem zarówno za pomo-

cą poziomów logicznych

TTL (procesor ATtiny45

układu SI570), jak i

sygnałów o poziomów

logicznych standardu

RS232 (sterowanie z

wykorzystaniem progra-

mu autorstwa M0KGK).

Dioda L4148 (1N4148 w

obudowie SMD) zabez-

piecza układ przed zbyt

dużym ujemnym napię-

ciem pochodzącym od

portu RS232, ogranicza-

jąc ujemne napięcie do

poziomu – 0,6V. Dodatkowa „wolna” bramka

układu CD4093 umożliwia sterowanie pracą

zewnętrznego wzmacniacza przeciwsobnego

na MOSFET--ach przez zwieranie napięcia

ich bramek do masy za pomocą zewnętrz-

nego tranzystora npn. Dodatkowe elementy

na złączu RS232 służą do sterowania klu-

czem telegraficznym (emisja CW)

z programu PowerSDR. Pokazany

na schemacie filtr dolnoprzepusto-

wy może być zastosowany tylko

w wersji jednopasmowej, podane

pojemności na schemacie dotyczą

pasma 80m. Pojemności oznaczo-

ne jako 0 pozwalają złożyć kon-

densator o żądanej pojemności

z paru kondensatorów o mniej-

szej pojemności. Filtr ten pracu-

je zarówno podczas nadawania

i odbioru. Charakterystykę tego

filtru pokazano na rysunku 6 . W

wersji na cały zakres KF filtr ten

nie jest montowany. Płytka dru-

kowana ma dodatkowe miejsce

na generator kwarcowy i stabi-

lizator scalony, który może być

użyty w urządzeniu SDR (wer-

sja przewlekana), montowanie

jego nie jest jednak koniecz-

ne, gdyż analogiczne elementy

znajdują się na płytce TRX-a.

Zmontowany układ przedstawiono na foto-

grafii 3 , schemat montażowy na rysunku 7 .

Uruchomienie układu

W układzie powinny być zastosowane ele-

menty o mocy strat i napięciu pracy podanym

w wykazie elementów. Zastosowane rezysto-

ry przewlekane powinny być bezindukcyjne,

z możliwie krótkimi wyprowadzeniami. Na

wstępie wykonujemy połączenie odcinków

A i B za pomocą krótkiego odcinka kabla

koncentrycznego o impedancji 50Ω oraz

montujemy resztę elementów, nie wlutowu-

jąc zwory podającej zasilanie na dren tran-

zystora IRF530. Punkt pracy tranzystorów

powinien być skorygowany ze względu na

dość duży rozrzut parametrów użytych tran-

zystorów (doświadczenie z paroma tego typu

układami). Zmianę punktu pracy dokonuje

się, zmieniając wartość rezystorów polary-

zujących bazę (bramkę) tranzystora. W tym

czasie układ powinien być obciążony od

strony wejścia i wyjścia rezystorami 50Ω o

odpowiedniej mocy (na wejściu wystarczy

zwykły rezystor o rozmiarze 0805). Wartość

prądu płynącego przez tranzystor może być

mierzona za pomocą pomiaru spadku napię-

cia na opornikach emiterowych (źródłowych)

– prawo Ohma. W celu uruchomienia nadaj-

nika, podajemy napięcie od 5 do 12V na złą-

cze sterujące trybem pracy nadawanie-odbiór

Rys. 6 Charakterystyka filtru

pracującego podczas

nadawania i odbioru

Rys. 7 Schemat montażowy wzmacniacza. Skala 50%

Fot. 3

R E K L A M A

!"#$%&' !"#$%&

&(#)*+%&',,

*#$%&

-.#)/

.....................

,.#0/#*0)*$%&

,.#)/#)(0*$%&

.....................

Projekty AVT

Wykaz elementów

L3 . . . . . . . . . . . 330 μ H rozmiar 1207,

ekranowany

C21,C49 . 22nF przewlekany 100V MKT

C22 . . . . 100nF przewlekany 250V MKT

C23 . . . . . . . . . . . . . . .33nF 250V MKT

C26 . . . . . . 10nF przewlekany MKT 63V

C30 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 470 μ F 25V

C33,C36,C37. . . . . . . . . . . * patrz tekst

C34,C38 . . . . . . . . . . . . . .680pF 250V

przewlekany, patrz tekst

C35 . . . . . . . . . . . . . . . . .1500pF 250V

przewlekany, patrz tekst

C41 . . . . . . . . . . . . . . . . . 10nF (0805)

C42 . . . . . . . . 10 μ F ceramiczny (1206)

C44,C45 . . . . . . . . . . . . . 47nF (0805)

Półprzewodniki

D4,D5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1N4148

D1,D3 . . . . . . . . . . . . LL4148 minimelf

D2 . . . . . . . . . . . . . . . . .C3V9 minimelf

lub przewlekana

Q1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .IRF530

Q2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .IRF510

Q3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . BFG591

Q4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MMBT3904

Q5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .IRF9530

Q6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14,85MHz

(generator kwarcowy, patrz tekst)

U1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .CD4093

U2 . . . . . . . . . . . . . . . . . .HMC190MS8

U3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7805

Pozostałe

L1,L2 . . . . . . . . . . . .2,2 μ H (patrz tekst)

Tr1 . . . . . . . . . . . . . 2*7 zwojów F1001

średnica 10mm

Tr2 . . . . . . . . . .2*5 zwojów na rdzeniu

z symetryzatora telewizyjnego

Tr3 . . . . . . 4 zw. pierwotne, 4 wtórne na

dwóch sklejonych rdzeniach, patrz tekst

Rel1. . . . . . . przekaźnik M1BS-12HAW

Termostat

Rezystory

R1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0k Ω (1206)

R2 . . . . . . . . . . . . . . . . . .680 Ω (0805)

R3-R8 . . . . . . . . . . . . . . . 3,6 Ω (1206)

R9 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1k Ω (0805)

R10 . . . . . . . . . . . . . . . . 100k Ω (0805)

R11 . . . . . . . . . . . . . . . . 2,2k Ω (1206)

R12 . . . . . . . . . . . . . . . . 2,4k Ω (0805)

R13 . . . . . . . . . . . 5k Ω (wieloobrotowy)

Kondensatory

C1,C2,C5. . . . 10 μ F ceramiczny (1206)

C3,C4,C6,C7 . . . . . . . . . 100nF (0805)

Półprzewodniki

D1 . . . . . . . . . . . .LED czerwona (0805)

Q1, Q2. . . . . . . . . . . . . . . . MMBT3906

Q3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .IRF9Z34

U1 . . . . . . . . . . . . . . TLC272CP (SMD)

U2 . . . . . . . . . . . . . . . . . 78L09 (SMD)

Przetwornica

Rezystory

R1,R2 . . . . . . . . . . . . . 0,47 Ω (1206)

R3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1k Ω (0805)

R4 . . . . . . . . . . . . . . . . . 8,2k Ω (0805)

Kondensatory

C1,C2,C4,C12 . . . . . . . . . . 470 μ F 16V

C3,C5,C8,C10,C13 . . . . . . . . . . . 10 μ F

C6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1,5nF

C7,C14 . . . . . . . . . . . 1nF NPO (0805)

C9,C11,C15. . . . . . . . . . . . . . . . 100nF

Półprzewodniki

D1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1N5819

U1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7909

U2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MC34063

Pozostałe

L1,L2 . . . .15 zw. F1001, średnica 8mm

Wzmacniacz mocy

Rezystory

R1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47k Ω (0805)

R2,R3 . . . . . . . . . . . . . . 8,2k Ω (0805)

R4-R7 . . . . . . . . . . . . . . . .15 Ω (1206)

R8,R9,R35 . . . . . . . . . . . . .22 Ω (1206)

R10 . . . . . . . . . . . . . . . . .150 Ω (0805)

R11,R25 . . . . . . . . . . . . .680 Ω (0805)

R12,R34 . . . . . . . . . . . . .330 Ω (0805)

R13,R14 . . . . . . . . . . . . . 4,7 Ω (1206)

R15 . . . . . . . . . . . . . . . . 2,7k Ω (0805)

R16 . . . . . . . . . . . . . . . . 4,7k Ω (0805)

R17 . . . . . . . . . . . . . . . . .330 Ω (1206)

R18,R26,R27 . . . . . . . . . . . . . . 1 Ω 2W

R19-R22 . . . . . . . . . . . . . . .1 Ω (1206)

R23 . . . . . . . . . . . . 10k Ω potencjometr

wieloobrotowy

R24 . . . . . . . . 1k Ω przewlekany 0,25W

R28 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330 Ω 2W

R29 . . . . . . . . . . . . . . . . .100 Ω (0805)

R30-R33 . . . . . . . . . . . . 2,2k Ω (0805)

R36,R37 . . . . . . . . . . . . 2,4k Ω (0805)

Kondensatory

C1 . . . . . . . . . . . . . . . . . 100pF (1206)

C2-C4,C27,C31,C32,C43,C46 . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22nF (0805)

C5,C47,C48 47nF (0805) najlepiej NPO

C6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33n (0806)

C7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22nF (1206)

C8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33nF (1206)

C9,C12,C18,C28 . . . . . . . . . . 1nF NPO

C10,C13,C15,C17,C19,C29,C39,C40,C50.

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100nF (0805)

C11,C14,C16,C25 . . . . . . . . 22 μ F 25V

C20,C24 100nF przewlekany 100V MKT

Płytki drukowane są dostępne w sieci handlowej AVT jako kit szkolny:

AVT-2954 – TRX SDR, AVT2954/1 – Termostat, AVT2954/2 – Przetwornica -9V, AVT2954/3 – Wzmacniacz.

(PTT). Po podaniu napięcia powinniśmy usły-

szeć charakterystyczne pyknięcie załączanego

przekaźnika. Korekta punktów pracy powinna

być dokonywana po przykręceniu do radiato-

rów, po paru minutach ciągłego wygrzewania

urządzenia. Trochę większego nakładu pracy

wymaga ustawienie punktu pracy trzeciego

stopnia. Ustawiamy zerowe napięcie bram-

ki za pomocą potencjometru wieloobroto-

wego, mocujemy diody stabilizujące punkt

pracy do radiatora w pobliżu tranzystora

IRF530, przymocowujemy obudowę tranzy-

stora z użyciem podkładki izolacyjnej i pasty

termoprzewodzącej. Wlutowujemy zworę

podającą napięcie zasilania na dren, ostroż-

nie zwiększamy wartość prądu spoczynko-

wego tranzystora IRF530 potencjometrem

wieloobrotowym, kontrolując go za pomocą

woltomierza (mierząc spadek napięcia na

rezystorach źródłowych). Przy około 3,3V

na bramce, tranzystor zacznie przewodzić i

regulację prądu powinniśmy przeprowadzać

od tego momentu bardzo ostrożnie. Wartość

prądu spoczynkowego wynosi około 250mA

przy napięciu zasilania +12V i 150mA przy

napięciu zasilania tranzystora IRF530 rów-

nego 24V. Wzmocnienie tego układu wynosi

około 35–40dB, a moc wyjściowa około 5W

i zależy od parametrów zastosowanych tran-

zystorów mocy, napięcia zasilającego ostat-

niego stopnia i wysterowania wzmacniacza.

Wzmacniacz pracuje bardzo stabilnie i nie

wzbudza się nawet po odłączeniu obciążenia.

Możliwa jest konfiguracja wzmacniacza za

pomocą zwór tak, by wzmacniacz załączał

dwa pierwsze stopnie tylko na czas nadawania

oraz by pracowały one cały czas, a zabierana

była jedynie polaryzacja stopnia końcowego.

Na schemacie montażowym (i ideowym)

pokazana jest praca z kluczowaniem zasilania

dwóch wzmacniaczy sterujących i stopnia

końcowego. W przypadku chęci kluczowania

tylko stopnia końcowego, kolektor tranzy-

stora BFG591 i dren tranzystora IRF510

podłączone muszą być na stałe do +12V a

układ kluczuje wtedy tylko napięcie bramki

tranzystora IRF530.

Rafał Orodziński SQ4AVS

sq4avs@gmail.com

Elektronika dla Wszystkich Wrzesieñ 2010

Wrzesieñ 2010

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

Inne foldery tego chomika: