Elektronika Praktyczna 2010 11.pdf

(50141 KB) Pobierz
Elektronika Praktyczna 11/2010
OSCYLOSKOP CYFROWY GDS-1062A
-
-
2 kanały, pasmo 60MHz
Próbkowanie z częstością 1GSa/s w czasie rzeczywistym
i 25GSa/s w czasie ekwiwalentnym
Pamięć o długości 2M punktów
Detekcja impulsów o szerokości 10ns (Peak Detect)
Pamięć do 15 kompletów ustawień przyrządu
i do 15 przebiegów
Kolorowy ekran LCD TFT o przekątnej 14 cm
27 różnych pomiarów automatycznych
Podstawa czasu: 1ns ~ 50s/dz
Czułość odchylania pionowego: 2mV ~ 10V/dz
Port USB do komunikacji z komputerem PC
Operacje matematyczne na przebiegach: sumowanie,
odejmowanie, szybka transformata Fouriera
6-cyfrowy licznik częstotliwości w czasie rzeczywistym
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
LPS305 Zasilacz laboratoryjny
GENERATOR Z CYFROW¥ SYNTEZ¥ DDS DF1410
Maks. moc
wyjściowa
165 W
● Częstotliwość: 1µHz÷10MHz, ● Dokładność: 5x10 -5 , ● Napięcie wyjściowe: 2mV ÷
20V p-p , ● Stabilność ±1x10 -5 ● Przemiatanie 1ms÷800s (liniowe), 100ms÷800s (log.)
Napięcie
Zakres 0÷ +30V/ 0÷ -30V 3,3V/5V
Rozdzielczość 10mV
Nap. maks. -32V / +32V
Tryb śledzenia 0 ÷± 30V
Błąd śledzenia ± 20 mV
Prąd
Zakres 0÷ -2,5A /0÷ +2,5A 3 A
Rozdzielczość 1 mA
Prąd maks. +3A / -3A ≈ 3,3 A
Tryb śledzenia 0 ÷ ± 2,5 A
Błąd śledzenia ± 5 mA
Stabilizacja napięcia i prądu 12-bitowy konwerter A/C Ciekłokrysta-
liczny wyświetlacz matrycowy z podświetlaniem, 2x16 cyfr jednoczesny
odczyt prądu i napięcia Kalibracja programowa Inteligentny system
chłodzenia Złącze RS232 Akustyczna (beeper) sygnalizacja prze-
ciążenia i zmiany trybu pracy Przyciski (“w dół”) i (“w górę”) do
łatwego ustawiania parametrów Klawiatura numeryczna do bezpośred-
niego wprowadzania parametrów Dwa kanały regulowane i jeden z
napięciem ustalonym (5V lub 3,3V)
Sinus
Przemiatanie
Paczka impulsów
Modulacja PSK
Modulacja FSK
ModulacjaFM
ModulacjaAM
Impulsy
NOWA SERIA ZASILACZY NDN
Model
Parametry
NDN
DF173003C
NDN
DF173005C
NDN
DF1723003DC
NDN
DF1723005DC
NDN
DF1723003TC
NDN
DF1723005TC
NDN
DF1743003C
NDN
DF1743005C
NAJWIĘKSZY WYBÓR, NAJLEPSZA
CENA, TRZY LATA GWARANCJI!!!
Napięcie
wyjściowe
0-30V 0÷30V 2 x (0÷30V) 2 x (0÷30V) 2 x (0 ÷ 30V)
2 x (0 ÷ 3A)
1 x (5V, 3A)
2 x (0 ÷ 30V)
2 x (0 ÷ 5A)
1 x (5V, 3A)
2 x (0 ÷ 30V)
2 x (0 ÷ 3A)
1x(8 ÷ 15V, 1A)
1x(3 ÷ 6V, 3A)
2 x (0 ÷ 30V)
2 x (0 ÷ 3A)
1x(8 ÷ 15V, 1A)
1x(3 ÷ 6V, 3A)
Prąd wyjściowy 0-3A 0÷5A 2 x (0÷3A) 2 x (0÷5A)
Dokładność
pomiaru
Dokładność pomiaru napięcia: ±1% + 2 cyfry, dokładność pomiaru prądu: ±2% + 2 cyfry
Wyświetlacz
2 x LED
4 x LED
Ilość wyjść
Pojed ynczy
Podwójny
Potrójny
Poczwórny
Napięciowy
współczynnik
stabilizacji
CV≤1 x 10 -4 + 1mV
CC≤2 x 10 -3 + 2mA
CV≤1 x 10 -4 +1mV
CC≤2 x 10 -3 +2mA
CV≤1 x 10 -4 +1mV (CH1 i CH2)
CC≤2 x 10 -3 +2mA (CH1 i CH2)
CV≤1 x 10 -4 +1mV (CH3)
CV≤1 x 10 -4 +1mV (CH1 i CH2)
CC≤2 x 10 -3 +1mA (CH1 i CH2)
CV≤1 x 10 -4 +1mV (CH3 i CH4)
Obciążeniowy
współczynnik
stabilizacji
CV≤1 x 10 -4 + 2mV
CC≤2 x 10 -3 + 6mA
CV≤1 x 10 -4 +2mV
CC≤2 x 10 -3 +6mA
CV≤1 x 10 -4 +2mV (CH1 i CH2)
CC≤2 x 10 -3 +6mA (CH1 i CH2)
CV≤1 x 10 -3 +3mV (CH3)
CV≤1 x 10 -4 +2mV (CH1 i CH2)
CC≤2 x 10 -3 +2mA (CH1 i CH2)
CV≤1 x 10 -3 +3mV (CH3 i CH4)
Tętnienia i
szumy
CV≤0,5mVrms (5Hz-1MHz)
CV≤20mVp-p (5Hz-1MHz)
CC≤3mArms
CC≤30mAp-p
CV≤0,5mVrms (5Hz-1MHz)
CC≤3mArms
CV≤0,5mVrms (5Hz-1MHz)
CC≤3mArms (CH1 i CH2)
CV≤1mVrms (5Hz-1MHz)
(CH3)
CV≤0,5mVrms (5Hz-1MHz)
CC≤2mArms (CH1 i CH2)
CV≤1mVrms (5Hz-1MHz)
(CH3 i CH4)
przed przeciążeniem oraz
odwrotną po l aryzacją przed przeciążeniem i odwrotną polaryzacją oraz ograniczenie prądowe i przeciwzwarciowe
Zabezpieczenie
Praca szereg,
równ, tracking
NIE
TAK
TAK
Włącz/wyłącz
wyjścia
TAK
TAK
TAK
TAK
Ograniczenie
prądowe
Nastawianie ograniczenia prądowego przy odłączonym wyjściu
Wymiary 130 x 155 x 295 mm
255 x 156 x 295 mm
255 x 160 x 305 mm
Do pracy ciągłej (8h przy pełnym obciążeniu)
Cena
(bez VAT)
250 245 400 450 520 570 550 590
ZESTAW LUTOWNICZY LF‑8000 STANOWISKO DO MONTA¯U SMD/BGA
NA PODCZERWIEÑ
W skład systemu wchodzi: IR-610 – podgrzewacz wstępny,
IR-810 – podgrzewanie punktowe, statyw do mocowania
płytki, chłodzenie kolby, włącznik nożny, chwytak
ciśnieniowy do układów scalonych z wymiennymi
końcówkami.
1150 z³ + vat
1 ‑Odsysacz elektroniczny DIA80A,
2 ‑Lekka koñcówka lutownicza SIA100KT
3 ‑Termopinceta TWZ 100,
4 ‑Wydmuch gor¹cego powietrza HAP 80,
Moc Temperatura Timer
IR-610 650W 30°C-350°C
IR-810 150W 45°C-450°C 0-900s
®
02-784 Warszawa, ul. Janowskiego 15 tel./fax (22) 641-15-47, 644-42-50
LF8000
411844287.001.png 411844287.002.png 411844287.003.png 411844287.004.png 411844287.005.png 411844287.006.png 411844287.007.png 411844287.008.png 411844287.009.png 411844287.010.png 411844287.011.png 411844287.012.png 411844287.013.png 411844287.014.png 411844287.015.png 411844287.016.png 411844287.017.png 411844287.018.png 411844287.019.png 411844287.020.png 411844287.021.png 411844287.022.png 411844287.023.png 411844287.024.png 411844287.025.png 411844287.026.png 411844287.027.png 411844287.028.png 411844287.029.png 411844287.030.png 411844287.031.png 411844287.032.png 411844287.033.png 411844287.034.png 411844287.035.png 411844287.036.png 411844287.037.png
DZIAŁ
OD WYDAWCY
Grafen materiał
przyszłości
Miesięcznik „ Elektronika Praktyczna (12 numerów
w roku) jest wydawany przez AVT-Korporacja Sp. z o.o.
we współpracy z wieloma redakcjami zagranicznymi.
Wydawca:
AVT-Korporacja Sp. z o.o.
03-197 Warszawa, ul. Leszczynowa 11
tel.: 22 257 84 99, faks: 22 257 84 00
Uroczyste rozdanie nagród Nobla tegorocznym laureatom odbę-
dzie się w grudniu tego roku. Dla nas, elektroników, przypuszczalnie
ogromne znaczenie będzie miała nagroda Nobla przyznana w dziedzinie
i zyki. W tym roku otrzymali ją dwaj naukowcy Andre Geim i Konstantin No-
voselov za opracowanie metody otrzymywania grafenu z graitu.
Grafen jest odmianą węgla. Jest zbudowany z pojedynczej warstwy atomów wę-
gla i dlatego uważa się, że ma on strukturę dwuwymiarową. Jest najcieńszym i najbar-
dziej wytrzymałym materiałem, który zna człowiek. Gdyby udało się wytworzyć idealną,
jednoatomową warstewkę grafenu i przykryć nią otwór o średnicy kubka, to do jej prze-
bicia za pomocą gwoździa należałoby użyć siły równoważnej ciężarowi średniego samo-
chodu, a przy tym ta warstwa nie byłaby widoczna. Grafen byłby zatem doskonały do
tworzenia niezwykle cienkich i lekkich elementów konstrukcyjnych. Ze względu na swoje
właściwości grafen mógłby służyć do budowy nowych ultrakondensatorów. Ocenia się, że
ich pojemność mogłaby być co najmniej dwukrotnie większa, niż produkowanych obecnie.
Elektryczne własności grafenu są jeszcze bardziej niezwykłe. Przewodnictwo może
odbywać się w nim zarówno przy udziale elektronów, jak i dziur. Oznacza to, że grafen
jest półprzewodnikiem. Jednak jego przewodnictwo właściwe w temperaturze pokojowej
jest większe nawet niż przewodnictwo właściwe srebra. Co więcej, grafen jest aktywny
chemicznie i można go łączyć z innymi pierwiastkami, zmieniając przy tym jego
właściwości elektryczne w bardzo szerokim zakresie. Np. w po-
łączeniu z wodorem, grafen tworzy tzw. grafan będący izo-
latorem.
Krzem jest obecnie najlepszym i najbardziej roz-
powszechnionym materiałem, z którego wytwarza-
ne są tranzystory. Jednak wymagania odnośnie
do szybkości ich przełączania stale rosną, co
wymusza miniaturyzację. Szacuje się, że jeśli
tempo rozwoju technologii produkcji układów
scalonych opartych na krzemie utrzyma się, to
granicę jego możliwości osiągniemy ok. 2025 r.
Dlatego naukowcy intensywnie poszukują ma-
teriałów, które w przyszłości mogłyby zastąpić
krzem. Grafen jest najpoważniejszym kandydatem
do zastąpienia krzemu ze względu na opisane wyżej
właściwości. Chciałbym jednak nieco ostudzić emocje,
ponieważ nie ma jeszcze gotowych układów scalonych ba-
zujących na grafenie.
W kwietniu 2008 r. zbudowano najmniejszy na świecie tranzystor na
bazie grafenu. Miał on jedynie 10 atomów szerokości. Inne materiały przestają być stabilne
lub tracą właściwości elektryczne nawet przy znacznie większych wymiarach. Częstotli-
wość graniczna grafenowych tranzystorów wynosiła 26 GHz, czyli mniej niż opartych na
krzemie i znacznie poniżej rekordu 1000 GHz tranzystorów zbudowanych z fosforku indu.
Należy jednak pamiętać, że są to jedynie pierwsze próby i być może w przyszłości to wła-
śnie grafen będzie królem szybkości. Jego atutem jest fakt, że elektrony w temperaturze
pokojowej poruszają się w nim z prędkością stanowiącą około 1/300 prędkości światła.
W innych materiałach prędkości te są wielokrotnie mniejsze.
Być może już niebawem czeka nas kolejna rewolucja technologiczna. I jak w czasach
maszyny parowej – znowu za sprawą węgla.
Adres redakcji:
03-197 Warszawa, ul. Leszczynowa 11
tel.: 22 257 84 49, 22 257 84 60, 22 257 84 65
faks: 22 257 84 67
Redaktor Naczelny:
Wiesław Marciniak
Redaktor Programowy,
Przewodniczący Rady Programowej:
Piotr Zbysiński
Zastępca Redaktora Naczelnego,
Redaktor Prowadzący:
Jacek Bogusz, tel. 22 257 84 49
Redaktor Działu Projektów:
Piotr Witczak, tel. 22 257 84 61
Redaktor Działu Podzespołów i Sprzętu:
Jerzy Pasierbiński
Redaktor Działu Monitoringu Nowych Podzespołów:
Maciej Gołaszewski, tel. 22 257 84 49
Szef Pracowni Konstrukcyjnej:
Grzegorz Becker, tel. 22 257 84 58
Marketing i Reklama:
reklama@ep.com.pl, tel. 22 257 84 65
Katarzyna Gugała, Bożena Krzykawska, Grzegorz
Krzykawski, Andrzej Tumański, Justyna Warpas,
Katarzyna Wiśniewska
Sekretarz Redakcji:
Grzegorz Krzykawski, tel. 22 257 84 60
DTP:
Dariusz Welik, tel. 22 257 84 48
Projekt graiczny okładki:
Jakub Tarnowski
Redaktor strony internetowej:
Marek Dzwonnik
Stali Współpracownicy:
Arkadiusz Antoniak, Rafał Baranowski, Marcin Chruściel,
Jarosław Doliński, Andrzej Gawryluk, Krzysztof Górski,
Tomasz Jabłoński, Krzysztof Paprocki, Krzysztof Pławsiuk,
Sławomir Skrzyński, Jerzy Szczesiul, Ryszard Szymaniak,
Marcin Wiązania, Tomasz Włostowski, Robert Wołgajew
Uwaga! Kontakt z wymienionymi osobami jest możliwy
via e-mail, według schematu: imię.nazwisko@ep.com.pl
Prenumerata:
tel.: 22 257 84 22, faks: 22 257 84 00
Sklep: tel. 22 257 84 66
Wy daw nic t wo
AVT-Kor­po­ra­cja­Sp.­z o.o.
na leż y do Iz by Wy daw ców Pra sy
Copyright AVT-Korporacja Sp. z o.o.
03-197 Warszawa, ul. Leszczynowa 11
P.S. Profesor Wiesław Marciniak, po zapoznaniu się z tekstem mojego wstępniaka,
przekazał mi bardzo ciekawe informacje o współpracy Geima i Novoselova z dr Włodzi-
mierzem Stępińskim z Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych. Doktor Strupiń-
ski jest współautorem (wraz Geimem i Novoselovem) bardzo ważnej publikacji na temat
grafenu przyjętej do druku w „Nature Materials”, a eksperymenty z grafenem tegoroczni
nobliści wykonywali na próbkach wytwarzanych przez dr Strupińskiego w ITME.
Projekty publikowane w „Elektronice Praktycznej” mogą
być wykorzystywane wyłącznie do własnych potrzeb.
Korzystanie z tych projektów do innych celów, zwłaszcza
do działalności zarobkowej, wymaga zgody redakcji
„Elektroniki Praktycznej”. Przedruk oraz umieszczanie
na stronach internetowych całości lub fragmentów
publikacji zamieszczanych w „Elektronice Praktycznej”
jest dozwolone wyłącznie po uzyskaniu zgody redakcji.
Redakcja nie odpowiada za treść reklam i ogłoszeń
zamieszczanych w „Elektronice Praktycznej”.
4
ELEKTRONIKA PRAKTYCZNA 11/2010
411844287.038.png 411844287.039.png 411844287.040.png 411844287.041.png 411844287.042.png 411844287.043.png
Zgłoś jeśli naruszono regulamin