NE_7_2010.pdf

СОДЕРЖАНИЕ

№7 (87), 2010 г.

БРЕНД НОМЕРА: InternatIonal rectIfIer

Информационно-технический

журнал

Когда рынок восстановился, компания была готова к серьезному росту

Бертольд Дюкер ................................................................................................................3

Учредитель – ЗАО «КОмпэл»

International Rectifier – лидер в управлении питанием и мощностью

Евгений Звонарев ..............................................................................................................5

Издается с 2005 г.

DC/DC-преобразователи SupIRBuck поколения Gen2 в распределенных системах

электропитания

Андрей Никитин ................................................................................................................8

Свидетельство о регистрации:

пИ № ФС77-19835

Универсальный электронный балласт газоразрядных ламп высокой

интенсивности

Юрий Новиков .................................................................................................................12

Редактор:

Геннадий Каневский

vesti@compel.ru

Выпускающий редактор:

Анна Заславская

Продукция класса HiRel компании International Rectifier

Константин Староверов ..........................................................................................15

Новинки MOSFET в стандартных корпусах

Максим Соломатин .................................................................................................22

Редакционная коллегия:

Андрей Агеноров

Евгений Звонарев

Сергей Кривандин

Александр маргелов

Николай паничкин

Борис Рудяк

Илья Фурман

Преимущества транзисторов в корпусах DirectFET

Андрей Никитин ......................................................................................................25

Преимущества силовых приборов на базе GaN от International Rectifier

Тим Макдональд ......................................................................................................29

Дизайн, графика, верстка:

Елена Георгадзе

Владимир писанко

Евгений Торочков

Распространение:

Анна Заславская

Электронная подписка:

www.compeljournal.ru

Отпечатано:

«Гран при»

г. Рыбинск

В СЛЕДУЮЩИХ НОМЕРАХ

Тираж – 1500 экз.

Современные приемопередатчики интерфейсов

Электропитание светодиодных осветительных систем

Компоненты OMRON для промавтоматики

Подписано в печать:

6 июля 2010 г.

Если вы хотите предложить интересную тему для статьи в следующий номер журнала –

пишите на адрес vesti@compel.ru с пометкой «Тема в номер».

НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 7, 2010

ОТ РЕДАКТОРА

Уважаемые

читатели!

по итогам третьего квартала

2010 финансового года (этот квар-

тал в IR заканчивается 31 марта)

прибыль компании International

Rectifier увеличилась по срав-

нению с предыдущим кварталом

на 15,1%, а с третьим кварталом

предшествующего года – на 65%.

Далеко не всем компаниям в

электронной сфере удалось к на-

чалу 2010 календарного года вы-

йти на прибыльность. президент

компании Олег Хайкин прогно-

зирует дальнейший рост, в пер-

вую очередь – за счёт потреби-

телей в сфере автоэлектроники и

систем распределённого питания

для вычислительных комплексов

и серверных устройств.

Выстоять в кризис компании

удалось во многом благодаря

приходу к руководству урожен-

ца минска Олега Хайкина. Он

смог за короткий срок настоль-

ко обновить стратегию IR, что с

полным правом можно сказать:

«название прежнее – компания

новая» . От широко деклари-

рованной политики приоритета

аналоговых решений компания

возвращается к сочетанию ана-

лога и инновационных дискрет-

ных компонентов, прославив-

ших в свое время International

Rectifier. Сложный период, свя-

занный с покупкой и продажей

бизнесов, закончен. Сейчас по-

литику компании определяют не-

сколько ключевых слов:

• Дискреты – IR прида-

ет большое значение расшире-

нию номенклатуры MOSFET- и

IGBT-модулей, но уже на иных

основах. Разрабатываются но-

вые технологии корпусирования,

все большее внимание уделяется

приборам на основе GaN. Отсю-

да – ещё два ключевых слова:

• Корпусирование и

• Нитрид галлия

• Аналог – важность аналого-

вых ИС для силовой электрони-

ки остается большой. Но и здесь

приоритеты IR несколько сме-

стились: теперь серьезное внима-

ние уделяется компонентам для

высоконадежных применений.

(Что относится и к дискретным

компонентам). это не только из-

делия для обороны и космоса.

Высокая надёжность востребова-

на в добывающих отраслях, хи-

мических и пищевых производ-

ствах, на транспорте, в условиях

тропиков и крайнего севера. Со-

ответственно, еще одно ключевое

слово, это

• HiRel (Высокая надеж-

ность) .

В номере журнала, посвящен-

ном продукции IR, освещены все

перечисленные темы.

КОмпэл является дистри-

бьютором продукции IR с 1996

года. Наши инженеры готовы от-

ветить на все возникающие у вас

вопросы.

С уважением,

Геннадий Каневский

НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 7, 2010

КОМПАНИЯ

Бертольд Дюкер

когда рынок восстановился,

компания была готова

к серьезному росту

Редактор «Новостей электроники» беседует с вице-президентом ком-

пании International Rectifier по продажам в Восточной Европе Бер-

тольдом Дюкером о новых перспективах IR, рынке MOSFETs, модулях на

базе нитрида галлия и о высоконадежной продукции HiRel.

ность и снижает энергопотребление при-

ложений в различных секторах рынка,

таких, как компьютеры и оборудование

связи, автомобильная электроника и по-

требительская техника.

В феврале 2010 года мы начали се-

рийное производство первых продук-

тов на базе GaN-on-Si. Это силовые

модули iP2010 и iP2011, предназна-

ченные для мультифазных и POL-

применений, включая серверы, роу-

теры и POL DC/DC-преобразователи

общего применения.

Г.К.: Очевидно, что у IR главным

фокусным направлением является про-

изводство MOSFETs напряжением от

20 до 250 В, примерно половина про-

даж приходится именно на них. Что но-

вого следует ожидать в их линейке?

Б.Д.: Мы предлагаем покупателям

большую линейку силовых MOSFETs с

использованием новейших кремниевых

технологий IR, обеспечивающих эталон-

ную производительность в широком ди-

апазоне напряжений. У этих изделий –

различные уровни RDS(on) и заряда

затвора, и покупатель может выбрать

оптимальное сочетание производитель-

ности и цены для своей разработки.

Что касается новых продуктов – мы

будем продолжать повышать их произво-

дительность. К примеру, мы продолжим

улучшать критические параметры эта-

лонных MOSFETs в корпусах Small Can,

Medium Can и Large Can DirectFET®.

К примеру, мы недавно запустили в про-

изводство транзистор IRF6798MPbF в

корпусе Medium Can DirectFET, и он

имеет показатель Rds(on) менее 1 мОм,

что обеспечивает очень высокий КПД во

всем диапазоне нагрузки.

Мы также представили MOSFETs в

корпусах PQFN с использованием техно-

логии Copper Clip. Эти изделия высотой

всего 0,9 мм со стандартной индустри-

альной распиновкой характеризуют-

ся высоким значением тока и низким

RDS(on), результатом чего являются бо-

лее высокие по сравнению с альтерна-

тивными дискретными решениями КПД,

плотность мощности и надежность. Это

позволяет применять новые изделия там,

где существенно ограничено свободное

место на плате.

Геннадий Каневский: Сказался ли

мировой экономический кризис на биз-

несе компании International Rectifier,

и повлиял ли он на стратегию разви-

тия IR?

Бертольд Дюкер: Как и многие про-

изводители полупроводников, IR стол-

кнулась с серьезным падением рыночного

спроса во время последнего мирового фи-

нансового кризиса. Однако в этот слож-

ный период компания приняла ряд мер

для оптимизации линейки своих продук-

тов, а также контролировала оператив-

ные расходы, продолжая инвестировать

в новые разработки. Все это позволило

подготовить компанию к серьезному ро-

сту, когда рынок восстановился.

Г.К.: Какие рынки в мире Вы видите

наиболее перспективными в ближайшем

будущем для реализации своей продук-

ции? Считаете ли Вы таковым россий-

ский рынок?

Б.Д.: Помимо китайского, многоо-

бещающий рост демонстрируют рынки

Индии, Бразилии, России и Восточной

Европы в целом. У российского рын-

ка – огромный потенциал. Компания IR

представлена в России с 1996 года, и за

последние несколько лет российский ры-

нок дистрибьюции существенно вырос.

Г.К.: В России большую долю рын-

ка составляют добывающие отрасли

(нефте- и газодобыча), атомная энер-

гетика, связь и транспорт (в том числе

морской и речной флот). Здесь боль-

шим спросом пользуется высоконад-

ежная HiRel-продукция, в производ-

стве которой компания IR традиционно

сильна. Каковы перспективы этого на-

правления на российском рынке?

Б.Д.: Я бы добавил к списку отрас-

лей, где управление электропитанием

требует особой надежности и функцио-

нальности в жестких условиях эксплуа-

тации, еще и производство космической

и авиационной техники, а также меди-

цинского оборудования. Покупатели в

этих отраслях нуждаются в высокопро-

изводительных решениях от надежного

и стабильного поставщика. В соответ-

ствии с этими требованиями IR пред-

лагает широкий диапазон продукции от

дискретных полупроводников и ИС до

гибридных изделий и полностью инте-

грированных систем электропитания.

У России в этом сегменте рынка –

многообещающий потенциал для дина-

мичного роста. Растущий поток инве-

стиций Российского правительства и

частного бизнеса способствует нараста-

нию спроса на высоконадежные компо-

ненты.

Г.К.: Будет ли IR восстанавли-

вать производство высоковольтных

MOSFETs и возвращать себе утрачен-

ные позиции по этим транзисторам?

Способна ли компания опередить кон-

курентов в этой области?

Б.Д.: Высоковольтные MOSFETs

дают менее 30% мирового рынка, а с

точки зрения прибыли они гораздо ме-

нее привлекательны по сравнению с

низко- и средневольтными FETs. К тому

же, разработчики и технологи достиг-

ли предела физических возможностей

кремния. Таким образом, дальнейшее

повышение производительности высоко-

вольтных MOSFET не оправдывает за-

трат и технически становится все более

сложным.

Чтобы преодолеть ограничения крем-

ния, в сентябре 2008 года компанией IR

была запущена технологическая плат-

форма собственной разработки для си-

ловых устройств на базе нитрида гал-

лия “GaNpowIR”, основанная на 150-мм

эпитаксиальной технологии «нитрид

галлия на кремнии» (GaN-on-Si). Плат-

форма GaNpowIR предоставляет потре-

бителям существенно лучшие ключевые

показатели (до десяти раз) по сравне-

нию с современными технологически-

ми платформами на базе кремния, что

значительно повышает производитель-

НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 7, 2010

КОМПАНИЯ

Продукция International Rectifier

Применение

Функциональная группa

ИС высоковольтных драйверов

• • • • • • •

Контроллеры электронных балластов

•

Контроллеры аудиоусилителей

•

корректоров коэффициента мощности • • • • • • •

ORing-контроллеры • •

Контроллеры синхронных выпрямителей • • • •

Контроллеры конверторов шины

•

Твердотельные реле

• • • • •

ШИМ-контроллеры

• • • • • •

Интеллектуальные силовые ключи

• • •

Цифровые ИС управления со смешанной

логикой

• •

MOSFET

• • • • • • • • • •

IGBT

• • • • • •

Силовые интеллектуальные модули

•

• •

Приборы HiRel

•

– этим продуктам IR в настоящее время уделяет особое внимание.

НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 7, 2010

Контроллеры

ОБЗОРЫ

Евгений Звонарев (КОМПЭЛ)

INTERNATIONAL RECTIFIER –

ЛИДЕР В УПРАВЛЕНИИ ПИТАНИЕМ

И МОЩНОСТЬЮ

В статье приведен краткий обзор продукции компании International

Rectifier, которая находит применение в устройствах преобразования элек-

трической энергии, например, в синхронных выпрямителях, мощных ин-

верторах постоянного и переменного тока, импульсных источниках

питания, электроприводе и бытовой технике.

прибора за счет уменьшения или полно-

го отсутствия радиатора выпрямителя.

Микросхема IR1167 позволяет создать

простой, надежный и легко реализуе-

мый синхронный выпрямитель с мини-

мальным количеством внешних компо-

нентов.

Благодаря новым разработкам ком-

пания занимает лидирующие позиции

в производстве и разработке MOSFET

напряжением до 250 В. Гордостью ком-

пании является производство транзисто-

ров по технологии TrenchFET, которая

позволяет одновременно снизить как

сопротивление открытого канала тран-

зистора, так и уменьшить значение за-

ряда затвора. Таким образом, приме-

нение MOSFET International Rectifier

позволяет существенно повысить КПД

преобразования энергии и значительно

сократить потери проводимости, умень-

шить размеры теплоотвода и габариты

устройства в целом. Транзисторы вы-

пускаются в самых разнообразных кор-

пусах и находят применение во многих

областях: синхронных выпрямителях

телекоммуникационных и промышлен-

ных преобразователей энергии, инвер-

торах постоянного и переменного тока,

(IR) успешно сочетает как раз-

работку и производство новей-

ших изделий и компонентов,

так и проектирование платформ и созда-

ние новых направлений для внедрения

своих достижений. Многие инженерные

и технологические решения IR стали

промышленными стандартами в сило-

вой электронике. Компания производит

самую широкую гамму устройств для

всего цикла преобразования электри-

ческой энергии. Продукция IR приме-

няется везде, где требуется производи-

тельность и надежность электрического

оборудования: в бытовой технике, про-

мышленных электроприводах, автомо-

бильных системах, зарядных устрой-

ствах и устройствах передачи данных.

В данной статье мы остановимся на сле-

дующих группах продукции:

• Контроллеры синхронных выпря-

мителей (SmartRectifier);

• OR’ing (силовое ИЛИ = логиче-

ское ИЛИ по питанию) контроллеры

для оптимальной реализации суммиро-

вания мощности от нескольких источни-

ков питания;

• Транзисторы MOSFET и IGBT

(Warp Speed и Warp 2);

• Микросхемы высоковольтных

драйверов MOSFET и IGBT;

• Миниатюрные модули для од-

нофазных (iPowIR) и многофазных

(xPhase) DC/DC-преобразователей;

• Микросхемы SupIRBuck для DC/

DC-преобразователей;

• ШИМ-контроллеры для DC/DC-

преобразователей.

На рисунке 1 показаны реко-

мендуемые производителем компо-

ненты для изолированных AC/DC-

преобразователей.

На вторичной стороне AC/DC-

преобразователя IR предлагает исполь-

зовать аналоговый контроллер синхрон-

ного выпрямителя IR1167. Он относится

к серии ИС «SmartRectifier» («интел-

лектуальный выпрямитель») и позволя-

ет управлять n-канальным транзистором

(или несколькими параллельно вклю-

ченными транзисторами) в синхронном

выпрямителе. Особенность принципа

работы – измерение дифференциально-

го напряжения между стоком и истоком

силового MOSFET-транзистора, вклю-

ченного вместо выпрямительного диода,

и дальнейшая обработка этой информа-

ции с помощью компараторов с гистере-

зисом и специальных цепей задержек.

Экономические и эксплуатационные

преимущества применения синхронно-

го выпрямителя очевидны: существен-

ное увеличение КПД преобразования –

снижение тепловыделения, уменьшение

габаритов печатной платы и корпуса

Рис. 1. Компоненты IR для изолированных AC/DC-преобразователей

НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 7, 2010

К омпания International Rectifier

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

Inne foldery tego chomika: